現代C、N、B等非氧化物(wù)高(gāo)技(jì)術耐火原料中，常壓燒結碳化矽是廣泛、經濟的，可以說是金剛砂或耐火砂。純碳化矽是無色透明晶體。那麽碳化矽的物(wù)質結構和特性是什麽?下(xià)面給大家介紹一(yī)下(xià)常壓燒結碳化矽!

　　常壓燒結碳化矽的物(wù)質結構：

　　工(gōng)業用的常壓燒結碳化矽根據雜質的種類和含量呈淺黃色、綠色、藍色、黑(hēi)色，純度不同，透明度也不同。碳化矽晶體結構分爲六字或菱形的钚和立方的钚-SIC。钚-SIC由于晶體結構中的碳和矽原子的堆積順序不同，形成了多(duō)種變形，發現了70多(duō)種。beta-SIC在2100以上(shàng)轉換爲alpha-SIC。碳化矽的工(gōng)業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐内精煉。精制的碳化矽塊經過粉碎、酸堿清洗、磁選、篩分或水(shuǐ)選擇，制成多(duō)種粒度的産品。

　　常壓燒結碳化矽的物(wù)質特性：

　　碳化矽具有良好的化學性能(néng)穩定性、熱導率、熱膨脹系數、耐磨性，因此除了磨料用途外，還有：等多(duō)種用途。例如，将碳化矽粉末用特殊工(gōng)藝塗在渦輪葉輪或氣缸塊的内壁上(shàng)，可以提高(gāo)耐磨性，延長壽命1~2倍。由耐熱、體積小(xiǎo)、重量輕、強度高(gāo)的高(gāo)級耐火材料制成，能(néng)效很好。低(dī)品級碳化矽(包括約85%的SiC)是提高(gāo)煉鋼速度、輕松控制化學成分以提高(gāo)鋼質量的優秀脫氧劑。此外，常壓燒結碳化矽還大量用于制造電器(qì)零部件(jiàn)矽碳棒。

　　碳化矽的硬度很大。莫爾斯硬度爲9.5級，僅次于世界上(shàng)堅硬的金剛石(10級)，是具有優良導熱性能(néng)的半導體，可以在高(gāo)溫下(xià)抗氧化。碳化矽至少有70種結晶類型。钚-碳化矽是常見的同質異構物(wù)，在2000以上(shàng)的高(gāo)溫下(xià)形成，具有六邊形晶型晶體結構(類似于纖維鋅礦)。常壓燒結碳化矽

　　碳化矽在半導體工(gōng)業中的應用

　　碳化矽半導體産業鏈主要包括碳化矽高(gāo)純粉末、單晶基闆、外延片、電力部件(jiàn)、模塊封裝和終端應用。

　　1.單晶基闆單晶基闆是半導體的支撐材料、導電材料和外延生(shēng)長基闆。目前，SiC單晶生(shēng)長方法有物(wù)理氣相(xiàng)轉移法(PVT法)、液相(xiàng)法(LPE法)、高(gāo)溫化學氣相(xiàng)沉積法(HTCVD法)等。常壓燒結碳化矽

　　2.外延片碳化矽外延片，碳化矽片，與對碳化矽基闆有一(yī)定要求的基闆晶體方向相(xiàng)同的單晶薄膜(外延層)。在實際應用中，寬禁帶半導體器(qì)件(jiàn)幾乎都是在外延層制造的，矽矽芯片本身隻用作襯底，包括GaN外延層的襯底。

　　3.高(gāo)純碳化矽粉末碳化矽高(gāo)純粉末是使用PVT方法生(shēng)長碳化矽單晶的原料，産品純度直接影響碳化矽單晶的生(shēng)長質量和電學特性。

　　4.電力裝置是用碳化矽材料制成的寬波段電力，具有高(gāo)溫、高(gāo)頻、高(gāo)效的特性。根據器(qì)件(jiàn)工(gōng)作形式，SiC電源裝置主要包括功率二極管和功率開關管。

　　5.終端在第三代半導體應用中，碳化矽半導體的優點是可以與氮化镓半導體互補。由于SiC器(qì)件(jiàn)的高(gāo)轉換效率、低(dī)發熱特性、輕量化等優點，下(xià)遊行業的需求持續增加，有取代SiO2器(qì)件(jiàn)的趨勢。